噪声对策根底（五）：片状三端子电容器

在单板的电介质两边涂上电极，再安装上引线端子即构成引线型陶瓷电容器结构。因为其引线端子部分带有细...。

  在单板的电介质两边涂上电极，再安装上引线端子即构成引线型陶瓷电容器结构。因为其引线端子部分带有细小的电感（残留电感），因而在作为旁路电容运用时，会与地上发生电感。

  图2是将电容器作为旁路电容运用时的插入损耗特性示例。在插入损耗图中，越往下搅扰越小。因为电容器的阻抗随频率的增大而增大，因而在高频范围内，插入损耗也应该如图中虚线所示，逐步增大。可是，如上所述，因为电容器在实际运用中带有残留电感，因而会发生搅扰，下降频率功能，故表现出如实线所示的V字型插入损耗曲线。

  三端子电容器是为改善二端子电容器的高频特性而对引线端子的形状进行改善后构成的陶瓷电容器。如图3所示，三端子电容器在单侧引出两根引线端子。将两根引出的引线别离衔接至电源和信号线的输入、输出端，将相反一侧接地，即可构成如右图所示的等效电路图。经过这一种衔接方法，两根引线侧的引线电感将不进入大地侧，由此可极大地减小接地电感。此外，因为两根引线侧的引线的电感效果相似T型滤波器的电感，能起到下降搅扰的效果。

  目前所运用的电容器多为片状多层陶瓷电容器。图4为二端子片状多层电容器的结构概念图。其结构表现为，夹着电介质薄片，别离与两边外部电极衔接的内部电极交织层叠。因为其为片状结构，且无引线，因而该部分没有残留电感。可是，因为其内部还存在微量电感，因而在较高频率下将导致功能直线下降。

  与引线型的三端子电容器相同，三端子电容器也可经过改动电极结构进步高频功能。图为片状三端子电容器的结构概念图。在芯片两头接地，夹住电介质，使贯穿电极与接地电极交互层叠，然后构成相似于穿心电容器的结构。等效电路如图所示，贯穿电极的电感与其在引线型三端子电容器中的状况相同，起到相似于T型滤波器的电感的效果，因而可减小残留电感的影响。此外，因为接地端衔接间隔较短，因而该部分的电感也十分细小。而且，因为接地端衔接两头，因而呈并联衔接状况，电感也将下降一半。

  图6中对片状三端子电容器与片状二端子多层电容器的插入损耗特性进行了比较。两种元件的静电容量相同，因而在低频范围内特性相同。可是二端子电容器在频率超越10MHz后功能便开端下降，而三端子电容器则在超越100MHz后才会呈现功能下降。因为片状三端子电容器在某些特定的程度的高频范围内都不可能会呈现功能直线下降，因而它适用于需求去除高频搅扰的状况。