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D2，以滤除和阻断反向二极管。二极管的反向击穿电压十分高。一般低功率三极管触发电压十分低至0.7...。
D2，以滤除和阻断反向二极管。二极管的反向击穿电压十分高。一般低功率三极管触发电压十分低至0.7V。电流也很小，一般小于1UA。
MOS：FETMOSFET管之一，可制成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道悉数类型。但实践运用仅仅增强型N沟道MOS管和增强型P沟道MOS管，即NMOS和PMOS。
关于这两种增强型MOS管，一般运用NMOS，其特点是导通电阻低。它一般适用于巫术电源电机驱动。
当 Vgs 大于特定值时，NMOS 将翻开。当 Vgs 小于某个值时，PMOS 翻开。
无论是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻，导致不可避免的损耗。而现在MOS晶体管的导通电阻一般是几十毫欧。
导通条件：一般不超越-12V即可用于AO3401。以下是不同压降下的阻抗：
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