据证券之星报道，广立微（301095）于2024年11月5日获得了一项新的发明专利，专利名为“一...。
据证券之星报道，广立微（301095）于2024年11月5日获得了一项新的发明专利，专利名为“一种晶体管阵列的漏电测试结构及其生成方法和存储介质”。这一专利的授权标志着广立微在半导体领域，尤其是在晶体管测试技术方面的一项重要进步。
这项新专利主要涉及晶体管阵列的漏电测试结构，其方法有先获取晶体管阵列，接着在每行的晶体管上铺设三根横向金属线。这些金属线分别与晶体管的栅极、源极和漏极相连接。同时，相邻行的晶体管通过纵向金属线进行连接，从而生成了一种蛇形走线的金属绕线结构。最后，通过这一结构的对接，形成完整的漏电测试结构，极大地简化了测试过程，提高了效率。
广立微在2024年上半年的财务多个方面数据显示，公司在研发方面投入总额高达1.32亿元，同比增加了41.77%。这一数据不仅反映了公司在技术创新上的持续努力，也显示出其对未来发展的潜在能力的信心。同样有必要注意一下的是，广立微今年已获得41项专利授权，相较于去年同期增长了70.83%，显示出强劲的研发能力和市场竞争力。
在当前全球半导体行业加快速度进行发展的背景下，广立微的这一新专利可能为其在高端芯片市场的竞争中提供新的助力。漏电测试是确保晶体管阵列性能的重要环节，广立微的创新方案将为新一代半导体设备的可靠性和稳定能力提供有力保障。
随着电子科技类产品对性能和能耗要求的不断的提高，晶体管的测试技术亟需不断革新。广立微的这一专利正好填补了这一市场缺口。采用更先进的测试方法，不仅提升了测试准确性，也在某些特定的程度上降低了生产所带来的成本，为半导体行业的可持续发展提供了可能。
从行业发展的新趋势来看，半导体企业正逐渐向智能化、自动化方向迈进。在这一背景下，广立微通过提升自身的研发投资和技术积累，有望在未来获得更加多的市场占有率。此外，随着AI技术的持续不断的发展，广立微也有一定的可能将其测试技术与AI相结合，从而进一步提升测试效率和准确性。各类自动化设备和智能工具的运用，将为研发及生产带来新的变革，帮企业在日益竞争非常激烈的市场中立于不败之地。
广立微的最新发明不仅是其技术实力的体现，更是整个半导体行业向前迈进的一小步。未来，随着更多创新技术的推出，行业的整体性能将会得到逐步提升，使用者真实的体验也将得到非常明显改善。我们期待广立微在未来继续发挥其创新潜力，推动整个行业的发展。返回搜狐，查看更加多
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